丝印：18DP10LM；Package：PG-TO252-3；OptiMOS Power-Transistor,-100V

Features *P-channel *Very low on-resistance Rds(on) @ Vgs=4.5 V *100 avalanche tested *Logic level *Enhancement mode *Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.82601 Mbytes 页数：11 Pages

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逻辑级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性

\n优势:\n• Industry standard package\n• Ideal for high and low switching frequency\n• Avalanche ruggedness\n• Easy interface to MCU\n• Improved efficiency at low loads due to low Qf\n• Reduced design complexity\n• Energy efficiency;

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