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IPD16CN10NG	文件：912.29 Kbytes Page：12 Pages	丝印：16CN10N；Package：PG-TO252-3；OptiMOS2 Power-Transistor Features N-channel, normal level • Excellent gate charge x Ros(on) product (FOM) • Very low on-resistance Rps(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating: RoHS compliant • Qualified according to JEDEC for target application • Ideal for high-frequency switching and synchronous 文件：912.29 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD16CN10NG	文件：624.72 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) 文件：624.72 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD16CN10NG	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS®2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI16CN10N	文件：330.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：330.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IPI16CN10NG	文件：624.72 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) 文件：624.72 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPD16CN10NG
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
SP000096454_N-KANAL POWER MOS_RO

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