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IPD16CN10NG	文件：912.29 Kbytes Page：12 Pages	Marking：16CN10N；Package：PG-TO252-3；OptiMOS2 Power-Transistor Features N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRos(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRps(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating:RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD16CN10NG	文件：624.72 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI16CN10N	文件：330.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPP16CN10LG	文件：325.77 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPD16CN10NG
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
SP000096454_N-KANAL POWER MOS_RO

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