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IPD100N06S4-03

60 V、N 沟道、最大 3.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

• N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色产品(符合 RoHS 标准)\n • 100% Avalanche 测试\n • 超低 RDS(on)\n • 超高ID\n • 支持 PPAP 的设备;

Infineon

英飞凌

IPD100N06S4-03

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:168.75 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD110N12N3G

TO-252

Infineon

英飞凌

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

IPD25N06S2-40

TO-252

Infineon

英飞凌

上传:深圳市龙瀚电子有限公司

IPD30N03S4L-14

TO-252

INFINEON/英飞凌

上传:深圳安世裕电子科技有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • IDpulsmax:

    400 A

  • Ptotmax:

    150 W

  • QG(typ @10V):

    99 nC

  • QG(typ @10V) max:

    128 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    3.5 mΩ

  • RthJCmax:

    1 K/W

  • VDSmax:

    60 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Package:

    DPAK (PG-TO252-3)

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™-T2

  • Launch year:

    2010

  • Polarity:

    N

  • Currently planned availability until at least:

    2027

  • Qualification:

    Automotive

  • Budgetary Price €/1k:

    0.69

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPD100N06S4-03供应商 更新时间2025-12-7 14:14:00