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IPD25N06S2-40	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 40 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest c;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD25N06S2-40	文件：154.56 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：154.56 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD25N06S2-40	文件：899.43 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：899.43 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD25N06S2-40	文件：257.589 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：257.589 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD25N06S2-40供应商更新时间2025-12-10 10:19:00