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IPD14N06S2-80中文资料百域芯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD14N06S2-80

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

624.84 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Bychip

中文名称

百域芯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 23:01:00

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IPD14N06S2-80规格书详情

特性 Features

 VDS= 60V, ID= 50A

RDS(ON) < 73mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 85 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

产品属性

  • 型号:

    IPD14N06S2-80

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 17A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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