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IPD14N06S2-80	文件：624.84 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：624.84 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IPD14N06S2-80	文件：153.34 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：153.34 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD14N06S2-80	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 80 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（无铅）\n • 超低 RDS(on)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD14N06S2-80	文件：259.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：259.22 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD14N06S2-80供应商更新时间2025-10-11 9:38:00