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IPD14N06S2-80

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IPD14N06S2-80

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD14N06S2-80

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IPD14N06S2-80

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 17A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPD14N06S2-80供应商 更新时间2025-5-28 9:38:00