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SPD14N06S2-80

文件：259.22 Kbytes

Page：8 Pages

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

文件：624.84 Kbytes

Page：5 Pages

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

文件：153.34 Kbytes

Page：8 Pages

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
SPD14N06S2-80
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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