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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SPD14N06S2-80 | OptiMOS Power-Transistor 文件：259.22 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SPD14N06S2-80 | OptiMOS Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：624.84 Kbytes 页数：5 Pages | Bychip 百域芯 | Bychip | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：153.34 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
SPD14N06S2-80
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
16880 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
15400 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
36800 |
询价 | |||
INFINEON |
22+ |
P-TO252-3-11 |
17788 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INF |
25+23+ |
TO-252 |
26923 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
INFINEO |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
更多SPD14N06S2-80供应商
更新时间2025-10-5 14:01:00
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- XC6124F526MR-G
- XC6501P151HR-G
- XC6501P251HR-G
- XC6501P28AHR-G
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- SR030-FFM
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