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IPD14N06S2-80中文资料55 V、N 沟道、最大 80 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD14N06S2-80

功能描述

55 V、N 沟道、最大 80 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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IPD14N06S2-80规格书详情

特性 Features

• N沟道 - 增强模式

• 符合汽车 AEC Q101 标准

• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值

• 工作温度为 175°C

• 绿色封装(无铅)

• 超低 RDS(on)

• 100% Avalanche 测试

• 支持 PPAP 的设备

应用 Application

• 汽车一次配电单元

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD14N06S2-80

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :68 A

  • Ptotmax

    :30 W

  • QG(typ @10V)

    :8 nC

  • QG(typ @10V) max

    :10 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :80 mΩ

  • RthJCmax

    :3.2 K/W

  • VDSmax

    :55 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Package

    :DPAK (PG-TO252-3)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™

  • Launch year

    :2007

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2033

  • Qualification

    :Automotive

  • Budgetary Price €/1k

    :0.22

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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