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IPD100N04S4-02	文件：334.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 4mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance ·Fa 文件：334.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD100N04S4-02	文件：160.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：160.1 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD100N04S4-02	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 沟道、最大 2 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N沟道 - 增强模式\n• 符合汽车 AEC Q101 标准\n• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n• 工作温度为 175°C\n• 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n• 100% Avalanche 测试\n• 支持 PPAP;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI100N04S4-02	文件：165.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：165.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD100N04S4-02供应商更新时间2025-12-8 20:29:00