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IPD180N10N3G规格书详情
特性 Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
产品属性
- 型号：
IPD180N10N3G
- 功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
1925+ |
TO-252 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
35576 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPD180N10N3G即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEON |
15+ |
TO-252 |
1700 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
17105 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
sot |
6600 |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2 |
986966 |
国产 |
询价 |
