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IPD127N06L	文件：335.13 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD127N06LG	文件：389.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD127N06LG	文件：538.08 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD127N06LG_08	文件：538.08 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CN10N	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CN10NG	文件：627.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CN10NG	文件：510.22 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CN10NG	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CN10N-G	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CNE8NG	文件：558.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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技术参数

OPN：
IPD100N04S4L02ATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
1.9 mΩ
ID @25°C max：
100 A
QG typ @10V：
126 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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