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IPD127N06LG	文件：389.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：389.54 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD127N06LG_08	文件：538.08 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification 文件：538.08 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CN10N	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：864.54 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CN10NG	文件：627.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：627.76 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CN10NG	文件：510.22 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS 文件：510.22 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CN10NG	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：864.54 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CN10N-G	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：864.54 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CNE8NG	文件：558.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：558.34 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CNE8NG	文件：552.12 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：552.12 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N03L	文件：334.86 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：334.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

IDpulsmax：
400 A
Ptotmax：
150 W
QG(typ @10V)：
91 nC
QG(typ @10V) max：
118 nC
RDS (on)(@10V) max：
2 mΩ
RthJCmax：
1 K/W
VDSmax：
40 V
VGS(th)：
3 V
Package：
DPAK (PG-TO252-3)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™-T2
Launch year：
2010
Polarity：
N
Currently planned availability until at least：
2032
Qualification：
Automotive
Budgetary Price €/1k：
0.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPD1供应商更新时间2026-1-21 14:14:00

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