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IPD135N03L	文件：334.86 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：334.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD135N03LG	文件：455.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：135N03L；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET Features * Fast switching MOSFET for SMPS * Optimized technology for DC/DC converters * Excellent gate charge x Rps on) product (FOM) * Very low on-resistance Rpson) * Avalanche rated 文件：455.3 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IPD135N03LG	文件：536.5 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters 文件：536.5 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N03LG	文件：1.40308 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.40308 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N03L-G	文件：1.40308 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.40308 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N03L-G	文件：536.5 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters 文件：536.5 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N03LG_10	文件：1.40308 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.40308 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N03L G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 超低栅极和输出电荷，加上小尺寸封装中的最低导通电阻，使 OptiMOS ™ 25V 成为满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。提供半桥配置（功率级 5x6） • 超低栅极和输出电荷\n• 易于设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N03LGXT	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Coss：
350 pF
ID (@25°C) max：
30 A
IDpulsmax：
210 A
Ptotmax：
31 W
QG(typ @4.5V)：
4.8 nC
QG(typ @10V)：
10 nC
RDS (on)(@10V) max：
13.5 mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
20.5 mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
20.5 mΩ
Rth：
4.9 K/W
VDSmax：
30 V
VGS(th)：
1 V to 2.2 V
Package：
DPAK (TO-252)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
0.2

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