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IPD135N03LG	文件：455.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：135N03L；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET Features * Fast switching MOSFET for SMPS * Optimized technology for DC/DC converters * Excellent gate charge x Rps on) product (FOM) * Very low on-resistance Rpson) * Avalanche rated 文件：455.3 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
135N03L	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.51 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
135N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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