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IPD12CN10NG	文件：627.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12CN10NG	文件：510.22 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPI12CN10NG	文件：300.36 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI12CN10N-G	文件：864.54 Kbytes Page：12 Pages	N-channel,normallevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP12CN10L	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IPD12CN10NG
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) TO-252
功能描述：
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

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