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详细参数

型号：
IPD16CNE8N G
功能描述：
MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPD16CNE8N G供应商更新时间2024-6-24 16:30:00

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