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IPD25CN10NG	文件：711.91 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD25CN10NG	文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD25CN10NG	文件：1.03806 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPD25CN10N	文件：335.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD25CN10N	文件：335.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPU25CN10NG	文件：711.91 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPD25CN10NG
制造商：
Infineon Technologies AG
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
100V,35A,N Channel Power MOSFET
功能描述：
100V,35A,N-channel power MOSFET

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