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IPD25CN10NG	文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD25CN10NG	文件：1.03806 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：1.03806 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPU25CN10NG	文件：711.91 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：711.91 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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