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IPD50N10S3L-16

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPD50N10S3L-16

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPD50N10S3L-16_15

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IPB50N10S3L-16

OptiMOS-T Power-Transistor

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英飞凌英飞凌科技公司

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IPI50N10S3L-16

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

IPP50N10S3L-16

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

详细参数

  • 型号:

    IPD50N10S3L-16

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
新批次
原厂封装
9007
一手货源原装现货,市场可送货,可含税
询价
Infineon/英飞凌
20+
TO-252
37500
终端可免费提供样品,欢迎咨询
询价
INFINEON
21+
TO-252
7500
原装优势库存,
询价
INFINEON
22+
TO-252
15000
原装正品
询价
INFINEON
21+
TO-252
26000
实单请给接受价
询价
Infineon
20+
N/A
10000
原装现货热卖库存
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INFINEON/英飞凌
2123+
TO-252
5000
原装正品 公司现货 价格优惠
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INFINEON/英飞凌
2021+
SOT-252
17642
原装进口假一罚十
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INFINEON/英飞凌
21+
TO-252
21000
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Infineon
21+
/
2500
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更多IPD50N10S3L-16供应商 更新时间2024-2-26 10:18:00