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IPD65R225C7	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.225Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD65R225C7	文件：1.68375 Mbytes Page：15 Pages	650V CoolMOS??C7 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(o	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPD65R225C7	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.225Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPP65R225C7	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSFET offeringbetterefficiency,reducedgatecharge,easyimplementation andoutstandingreliability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.225Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA65R225C7	文件：260.64 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA65R225C7	文件：1.78369 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB65R225C7	文件：314.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSFET offeringbetterefficiency,reducedgatecharge,easyimplementation andoutstandingreliability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.225Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB65R225C7	文件：1.58713 Mbytes Page：15 Pages	650VCoolMOS??C7PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •BetterefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)EossandRDS(on)Qg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R225C7	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSFET offeringbetterefficiency,reducedgatecharge,easyimplementation andoutstandingreliability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.225Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R225C7	文件：1.70039 Mbytes Page：15 Pages	650VCoolMOS??C7PowerTransistor 650VCoolMOS™C7PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Applications PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Serve	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPD65R225C7
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
650V CoolMOSa?￠ C7 Power Transistor

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