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IPD60R600C6

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET; • 易于控制开关行为\n• 由于非常低的品质因数(R DS(ON)*Q g)和E oss),因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 使用简便\n• 与 C3 相比,具有更高的轻载效率\n• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性\n• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比,性价比更高\n• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低\n\n\n优势:\n \n • 提升功率密度\n• 提升可靠性\n• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用\n• 提高轻载效率\n• 提高在硬开关应用中的效率\n• 改进了易用性\n• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡\n \n;

CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。\n • 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3\n• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPD60R600C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddev

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPD60R600C6

N-Channel MOSFET Transistor

•DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPD60R600C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP60R600C6

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdev

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPP60R600C6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddev

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP60R600C6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPU60R600C6

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPU60R600C6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 600VCoolMOS™C6PowerTransistor Applications   PFCstates,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingPWMstagesfore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom,UPS.

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPU60R600C6

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

技术参数

  • Package :

    DPAK (TO-252)

  • VDS max:

    600.0V

  • RDS (on) max:

    600.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    7.3A

  • Ptot max:

    63.0W

  • IDpuls max:

    19.0A

  • VGS(th) min max:

    2.5V 3.5V

  • QG :

    20.5nC 

  • Rth :

    2.0K/W 

  • RthJC max:

    2.0K/W

  • RthJA max:

    62.0K/W

  • Operating Temperature min:

    -55.0°C 

  • Pin Count :

    3.0Pins 

  • Mounting :

    SMT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon/英飞凌
20+
TO-252
35000
终端可免费提供样品,欢迎咨询
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INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
32360
INFINEON/英飞凌全新特价IPD60R600C6即刻询购立享优惠#长期有货
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INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
16872
原装进口假一罚十
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2021+
TO-252
9450
原装现货。
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23+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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9000
原装现货,随时欢迎询价
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
17048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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INFINEON
23+
TO-252
9000
只做原装 假一罚十
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INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
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Infineon(英飞凌)
24+
PG-TO252-3
12048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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更多IPD60R600C6供应商 更新时间2025-7-28 13:01:00