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IPD60R600C6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPD60R600C6规格书详情
• DESCRITION
• Fast switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.6Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD60R600C6
- 功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
17048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPD60R600C6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON |
11+ |
TO-252 |
255 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INF |
14+ |
TO252 |
7500 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
11+ |
TO-252 |
305 |
询价 | |||
INFINEON |
25+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装 假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
16872 |
原装进口假一罚十 |
询价 |
