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IPD60R450E6
厂商型号

IPD60R450E6

功能描述

600V CoolMOS E6 Power Transistor

文件大小

2.1368 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 9:48:00

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IPD60R450E6规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

特性 Features

• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

• Very high commutation ruggedness

• Easy to use/drive

• Pb-free plating, Halogen free mold compound

​​​​​​​• JEDEC1) qualified, Pb-free plating; Halogen free2)

Applications

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching

PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,

Lighting, Server, Telecom and UPS.

产品属性

  • 型号:

    IPD60R450E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 9.2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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Infineon/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
25+
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原厂封装
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DPAK(TO-252)
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TO-252
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Infineon(英飞凌)
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