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IPD60R3K3C6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPD60R3K3C6规格书详情
• DESCRITION
• Fast switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤3.3Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD60R3K3C6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 1.7A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPD60R3K3C6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
65200 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO252 |
4500 |
原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252 |
19000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TO252-3 |
8000 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
20+ |
TO252 |
16300 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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Infineon |
21+ |
20000 |
原装正品现货 |
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INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
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Infineon(英飞凌) |
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TO-252-2(DPAK) |
50000 |
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询价 |
