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IPD60R3K3C6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPD60R3K3C6规格书详情
• DESCRITION
• Fast switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤3.3Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD60R3K3C6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 1.7A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 | |||
Infineontechnologies |
24+ |
只做原装 |
5850 |
进口原装假一赔百,现货热卖 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
131758 |
只做原装正品货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON |
TO-252 |
22+ |
10000 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
询价 | ||
Infineon |
NA |
N/A |
9000 |
原装现货质量保证,可出样品可开税票 |
询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
TO252 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 |
