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IPD50N03S2-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V、N 沟道、最大 7.3 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N沟道 - 增强模式\n • 符合 AEC 要求\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 超低 RDS(on)\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50N03S2-07	文件：156.26 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：156.26 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2-07	文件：647.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：647.54 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2-07	文件：1.02006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02006 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD50N03S2-07	文件：261.839 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：261.839 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD50N03S2-07供应商更新时间2025-10-8 10:41:00