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SPD50N03S2-07

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

文件:647.54 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SPD50N03S2-07

OptiMOS Power-Transistor

文件:261.839 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

SPD50N03S2-07

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.02006 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPD50N03S2-07

OptiMOS Power-Transistor

Infineon

英飞凌

SPD50N03S2-07_08

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

文件:647.54 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SPD50N03S2-07G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.02004 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPD50N03S2-07G

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

文件:647.54 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SPD50N03S2-07 G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    DPAK (TO-252)

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on) max:

    7.3mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    50.0A

  • Ptot max:

    136.0W

  • IDpuls max:

    200.0A

  • VGS(th) min max:

    2.1V 4.0V

  • QG :

    35.0nC 

  • Rth :

    1.1K/W 

  • Ciss :

    1630.0pF 

  • Coss :

    750.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
SOT252
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17600
原装进口假一罚十
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INFINEON
23+
TO252
6996
只做原装正品现货
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INFINEON/英飞凌
24+
TO252-3
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
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INFINEON
24+
TO-252
2170
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INFINEON
22+
P-TO252-3-11
23888
原装现货库存.价格优势
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INFINE0N
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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INFINEON
24+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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infineon
18+
TO-252
41200
原装正品,现货特价
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INFINEON
20+
TO252
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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更多SPD50N03S2-07供应商 更新时间2025-10-4 14:02:00