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IPD60R520C6	文件：1.78179 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddev	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD60R520C6	文件：1.11337 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffer	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD60R520C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET; • 易于控制开关行为\n• 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 使用简便\n• 与 C3 相比，具有更高的轻载效率\n• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性\n• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高\n• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低\n\n\n优势:\n \n • 提升功率密度\n• 提升可靠性\n• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用\n• 提高轻载效率\n• 提高在硬开关应用中的效率\n• 改进了易用性\n• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡\n \n; CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。\n • 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3\n• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R520C6	文件：1.78179 Mbytes Page：17 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddev	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R520C6	文件：1.11337 Mbytes Page：17 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffer	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
520.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
8.1A
Ptot max：
66.0W
IDpuls max：
22.0A
VGS(th) min max：
2.5V 3.5V
QG ：
23.4nC
Rth ：
1.9K/W
RthJC max：
1.9K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C
Pin Count ：
3.0Pins
Mounting ：
SMT

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