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IPD60R520C6	文件：1.78179 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered dev 文件：1.78179 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD60R520C6	文件：1.11337 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOSTM C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offer 文件：1.11337 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD60R520C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。\n • 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3\n• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3 • 易于控制开关行为\n• 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 使用简便\n• 与 C3 相比，具有更高的轻载效率\n• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性\n• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高\n• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低\n\n\n优势:\n \n • 提升功率密度\n• 提升可靠性\n• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用\n• 提高轻载效率\n• 提高在硬开关应用中的效率\n• 改进了易用性\n• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP60R520C6	文件：1.78179 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered dev 文件：1.78179 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP60R520C6	文件：1.11337 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOSTM C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offer 文件：1.11337 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
520.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
8.1A
Ptot max：
66.0W
IDpuls max：
22.0A
VGS(th) min max：
2.5V 3.5V
QG ：
23.4nC
Rth ：
1.9K/W
RthJC max：
1.9K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C
Pin Count ：
3.0Pins
Mounting ：
SMT

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