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IPD35N10S3L-26

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPD35N10S3L-26

OptiMOS-T Power-Transistor

Features •N-channel-Enhancementmode •AutomotiveAECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenproduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested

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英飞凌英飞凌科技公司

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IPD35N10S3L-26

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OptiMOS??T Power-Transistor

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详细参数

  • 型号:

    IPD35N10S3L-26

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
20+
TO-252
12115
终端可免费提供样品,欢迎咨询
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INFINEON/英飞凌
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原装进口假一罚十
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TO-252
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
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更多IPD35N10S3L-26供应商 更新时间2024-2-26 14:01:00