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IPD35N10S3L-26	文件：354.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD35N10S3L-26	文件：188.79 Kbytes Page：9 Pages	Marking：3N10L26；Package：PG-TO252-3-11；OptiMOS-T Power-Transistor Features •N-channel-Enhancementmode •AutomotiveAECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenproduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPD35N10S3L-26
功能描述：
MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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