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IPD35N10S3L-26	文件：188.79 Kbytes Page：9 Pages	丝印：3N10L26；Package：PG-TO252-3-11；OptiMOS-T Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：188.79 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多3N10L26供应商更新时间2025-8-15 13:01:00