STFW3N150芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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STFW3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	丝印：3N150；Package：TO-3PF；N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features • 100 avalanche tested • Intrinsic capacitances and Qg minimized • High speed switching • Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.) Applications • Switching applications Description These Power MOSFETs are designed using the STMicroelectron 文件：677.14 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	丝印：3N150；Package：TO-247；N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features • 100 avalanche tested • Intrinsic capacitances and Qg minimized • High speed switching • Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.) Applications • Switching applications Description These Power MOSFETs are designed using the STMicroelectron 文件：677.14 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
3N150S	文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多3N150供应商更新时间2025-10-31 14:30:00