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IPD50N06S2-14	文件：151.02 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：151.02 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50N06S2-14	文件：1.09691 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.09691 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IPD50N06S2-14	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V、N 沟道、最大 14.4mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（符合 RoHS 标准）\n • 超低 RDS(on)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N06S2-14	文件：269.4 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：269.4 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IDpulsmax：
200 A
Ptotmax：
136 W
QG(typ @10V)：
39 nC
QG(typ @10V) max：
52 nC
RDS (on)(@10V) max：
14.4 mΩ
RthJCmax：
1.1 K/W
VDSmax：
55 V
VGS(th)：
3 V
Package：
DPAK (PG-TO252-3)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™
Launch year：
2007
Polarity：
N
Currently planned availability until at least：
2033
Qualification：
Automotive
Budgetary Price €/1k：
0.5

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更多IPD50N06S2-14供应商更新时间2025-12-5 13:01:00

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