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IPD50N04S4-08

40V N-Channel MOSFET

Features Vds=60V,ID=53A RDS(ON)12mQ@VGS=10V RDS(ON)17m2@VGs=4.5V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

TECHPUBLIC

IPD50N04S4-08

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

详细参数

  • 型号:

    IPD50N04S4-08

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 40V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPD50N04S4-08供应商 更新时间2024-4-25 8:01:00