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IPD50N04S4-08	文件：2.4161 Mbytes Page：5 Pages	丝印：TPM4060NK3；Package：TO-252-3L；40V N-Channel MOSFET Features Vds=60V, ID=53A RDS(ON) 12mQ@VGS=10V RDS(ON) 17m2@VGs=4.5V 文件：2.4161 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IPD50N04S4-08	文件：160 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：160 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50N04S4-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 沟道、最大 7.9 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N-channel - Enhancement mode\n• Automotive AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n• Robust packages with sup;	Infineon 英飞凌	Infineon
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深圳市昂芯微科技有限公司	IPD50N04S4-08	Infineon	23+	N/A	10000	原装现货热卖库存	询价
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深圳市胜彬电子有限公司	IPD50N04S4-08	INFINEON/英飞凌	2038+	TO-252	8000	原装正品假一罚十	询价
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更多IPD50N04S4-08供应商更新时间2025-12-11 13:01:00