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IPD30N06S4L-23	文件：5.28947 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：5.28947 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IPD30N06S4L-23	文件：168.5 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：168.5 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N06S4L-23	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V、N 沟道、最大 23 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N06S4L-23	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市龙瀚电子有限公司	Infineon
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更多IPD30N06S4L-23供应商更新时间2025-10-4 10:18:00