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IPD30N10S3L-34	文件：323.82 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 31mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：323.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD30N10S3L-34	文件：188.43 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：188.43 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N10S3L-34	文件：182.37 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-T Power-Transistor 文件：182.37 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N10S3L-34	文件：322.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：322.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD30N10S3L-34	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V、N沟道、最大31 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• highest current capability 180A\n • low switching and conduction power losses for high thermal ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N10S3L-34_11	文件：182.37 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-T Power-Transistor 文件：182.37 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD30N10S3L-34供应商更新时间2025-12-9 13:01:00