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IPD15N06S2L-64	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 64 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD15N06S2L-64	文件：153.63 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：153.63 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD15N06S2L-64	文件：1.56858 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.56858 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD15N06S2L-64	文件：268.36 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：268.36 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

OPN：
IPD15N06S2L64ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
64 mΩ
ID @25°C max：
19 A
QG typ @10V：
11 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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更多IPD15N06S2L-64供应商更新时间2026-1-26 13:00:00

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