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IPD135N03LG	文件：536.5 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters 文件：536.5 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N03LG	文件：1.40308 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.40308 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N03L-G	文件：1.40308 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.40308 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N03L-G	文件：536.5 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters 文件：536.5 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N03LG_10	文件：1.40308 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.40308 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N08N3	文件：336.8 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD135N08N3G	文件：445.22 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：445.22 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N08N3G	文件：360.7 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for high frequency switching 文件：360.7 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD135N08N3G_14	文件：360.7 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for high frequency switching 文件：360.7 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD14-12-5T-2	文件：445.04 Kbytes Page：2 Pages	ingaas photodiode 文件：445.04 Kbytes 页数：2 Pages	ROITHNER	ROITHNER

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技术参数

IDpulsmax：
400 A
Ptotmax：
150 W
QG(typ @10V)：
91 nC
QG(typ @10V) max：
118 nC
RDS (on)(@10V) max：
2 mΩ
RthJCmax：
1 K/W
VDSmax：
40 V
VGS(th)：
3 V
Package：
DPAK (PG-TO252-3)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™-T2
Launch year：
2010
Polarity：
N
Currently planned availability until at least：
2032
Qualification：
Automotive
Budgetary Price €/1k：
0.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	IPD12CN10NG	INF	18+	TO-252	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市晨豪科技有限公司	IPD180N10N3G	INFINEON/英飞凌	23+	TO-252	89630	当天发货全新原装现货	询价
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更多IPD1供应商更新时间2026-1-21 10:03:00

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