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IPD12CN10NG	文件：627.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：627.76 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD12CN10NG	文件：510.22 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS 文件：510.22 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IPD12CN10N G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD12CN10N供应商更新时间2026-1-21 18:07:00