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GT1K2P15	文件：948.39 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT1K2P15M；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT1K2P15Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15	文件：980.08 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT1K2P15S；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT1K2P15Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT1MA	文件：444.68 Kbytes Page：5 Pages	型号：GT1MMA_R1_00001；Package：SMA；Surface General Purpose Rectifier Features Glasspassivatedchipjunction Lowforwardvoltagedrop Lowleakagecurrent LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
GT14	文件：500.02 Kbytes Page：20 Pages	型号：SN74GTL2014PWR；Package：TSSOP；SN74GTL2014 4-Channel LVTTL to GTL Transceiver 1Features 1•OperatesasaGTL–/GTL/GTL+toLVTTLor LVTTLtoGTL–/GTL/GTL+Translator •TheLVTTLInputsareTolerantupto5.5V AllowingDirectAccesstoTTLor5VCMOS •TheGTLInput/OutputOperateupto3.6V, AllowingtheDevicetobeUsedinHighVoltage Open-DrainApplications •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
GT14	文件：500.02 Kbytes Page：20 Pages	型号：SN74GTL2014PWR.B；Package：TSSOP；SN74GTL2014 4-Channel LVTTL to GTL Transceiver 1Features 1•OperatesasaGTL–/GTL/GTL+toLVTTLor LVTTLtoGTL–/GTL/GTL+Translator •TheLVTTLInputsareTolerantupto5.5V AllowingDirectAccesstoTTLor5VCMOS •TheGTLInput/OutputOperateupto3.6V, AllowingtheDevicetobeUsedinHighVoltage Open-DrainApplications •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
GT14	文件：500.02 Kbytes Page：20 Pages	型号：SN74GTL2014PWRG4.B；Package：TSSOP；SN74GTL2014 4-Channel LVTTL to GTL Transceiver 1Features 1•OperatesasaGTL–/GTL/GTL+toLVTTLor LVTTLtoGTL–/GTL/GTL+Translator •TheLVTTLInputsareTolerantupto5.5V AllowingDirectAccesstoTTLor5VCMOS •TheGTLInput/OutputOperateupto3.6V, AllowingtheDevicetobeUsedinHighVoltage Open-DrainApplications •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

详细参数

型号：
GT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP MED PWR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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