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GT105N10	文件：1.04469 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT105N10M；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT105N10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT105N10	文件：1.032329 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT105N10T；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT105N10Tusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT10N10	文件：640.56 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT10N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT10N10usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06	文件：758.1 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT110N06D3；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT110N06D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06	文件：1.03231 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT110N06D3A；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT110N06D3Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06	文件：956.24 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT110N06D5A；Package：DFN5/6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT110N06D5Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06	文件：983.22 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT110N06M；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT110N06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06	文件：1.06818 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT110N06S；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT110N06Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06H	文件：943.74 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT110N06SH；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT110N06SHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT130N10	文件：719.88 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT130N10D3；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT130N10D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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详细参数

型号：
GT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP MED PWR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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