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FIR20N60AFG	文件：2.33058 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR20N60FG	文件：4.36088 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FML20N60	文件：787.87 Kbytes Page：7 Pages	20Amps600VoltageNChannelMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FQP20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FQPF20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FTW20N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
HIA20N60BP	文件：664.05 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH20N60BP	文件：644.27 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM20N60	文件：817.51 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N60A	文件：532.49 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N60F	文件：919.87 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG20N60A	文件：633.94 Kbytes Page：5 Pages	20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IKB20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB20N60T	文件：703.05 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB20N60TA	文件：2.48742 Mbytes Page：16 Pages	600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGP20N60UFDTU其他IC供应商更新时间2024-9-23 17:18:00

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