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FQA11N90C	文件：707.76 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：707.76 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C	文件：362.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：362.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA11N90C	文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：817.11 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：823.6 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C-F109	文件：1.06053 Mbytes Page：8 Pages	FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：1.06053 Mbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C_06	文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：817.11 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C_07	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：823.6 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C_F109	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：823.6 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C_F109	文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：817.11 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA11N90C	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 900V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1100
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
60
Ciss Typ (pF)：
2530
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQA11N90C	ON/安森美	25+	TO-3P	32360	ON/安森美全新特价FQA11N90C即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市东来宝电子科技有限公司	FQA11N90C	FSC	14+	TO-247	95000		询价

更多FQA11N90C供应商更新时间2025-12-10 15:11:00

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