| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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16年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
65400 |
23+ |
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4年
留言
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FSCTO3P |
66500 |
24+ |
只做原装进口现货 |
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7年
留言
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ON/安森美TO-3P |
11616 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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18年
留言
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ON/安森美TO-3P |
2250 |
20+ |
正规报关原装现货系列终端客户可以技术支持 |
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18年
留言
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ONSEMINA |
2450 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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7年
留言
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ON/安森美TO-3P |
11676 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3PN |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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11年
留言
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ON(安森美)TO-3P |
9047 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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11年
留言
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ON |
94578 |
18+ |
进口原装现货,欢迎来电咨询! |
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13年
留言
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FSCTO-247 |
95000 |
14+ |
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15年
留言
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ON/安森美TO-3P |
32360 |
25+ |
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ON/安森美全新特价FQA11N90C即刻询购立享优惠#长期有货 |
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FSCDIP-8 |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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13年
留言
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NANA |
26094 |
26+ |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
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12年
留言
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FSCTO3P |
89900 |
2012+ |
全新原装进口自己库存优势 |
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2年
留言
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ON/FSCTO-3P |
18000 |
26+ |
原装 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
FQA11N90C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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FQA11N90C_F109价格
FQA11N90C_F109价格:¥13.6798品牌:Fairchild
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FQA11N90C 深圳市凌涵科技有限公司 全新供应!
产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 900 V Id-连续漏极电流: 11 A Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最大工作温度: + 150 C 封装: Bulk 通
FQA11N90C供应商,价格,中文资料 天泽恒电子
FQA11N90C 900V N沟道MOSFET 特点 •11A,900V,RDS(ON)=1.1Ω@ VGS= 10 V •低栅极电荷(典型60 nC的) •低Crss(典型值23pF) •快速开关 •100%的雪崩测试
FQA11N90C中文资料Alldatasheet PDF
更多FQA11N90C功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA11N90C_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C_07制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C_F109功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA11N90C-F109制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm



























