产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 85 ns
高度: 18.9 mm
长度: 15.8 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 130 ns
系列: QFET
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
宽度: 5 mm
单位重量: 6.401 g
