FQA11N90C
900V N沟道MOSFET
特点
•11A，900V，RDS（ON）=1.1Ω@ VGS= 10 V
•低栅极电荷（典型60 nC的）
•低Crss（典型值23pF）
•快速开关
•100％的雪崩测试
•改进的dv / dt能力
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面的
条形，DMOS技术。
这种先进的技术，特别是针对
最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关
性能，经受住了高能量脉冲雪崩
换向模式。这些器件非常适用于高
高效开关电源，有源功率因数
校正，电子灯镇流器基于半桥
拓扑结构。
