Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 11.0 A, 1.1 Ω, TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •11A, 900V, RDS(on)= 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低（典型值：60nC)\n•低 Crss（典型值23pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，11.0 A，1.1 Ω，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •11A, 900V, RDS(on)= 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低（典型值：60nC)\n•低 Crss（典型值23pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

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