首页>FQA11N90C_F109>规格书详情
FQA11N90C_F109数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQA11N90C_F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•11A, 900V, RDS(on)= 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低（典型值：60nC)
•低 Crss（典型值23pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
：FQA11N90C_F109
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 900V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：11
- PD Max (W)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：60
- Ciss Typ (pF)
：2530
- Package Type
：TO-3P-3LD / EIAJ SC-65
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3PN3L |
5540 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
1820 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-3P |
9047 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
