首页>FQA11N90C-F109>规格书详情
FQA11N90C-F109数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQA11N90C-F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•11A, 900V, RDS(on)= 1.1Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低(典型值:60nC)
•低 Crss(典型值23pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQA11N90C-F109
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
:900
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:11
- PD Max (W)
:300
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:1100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:60
- Ciss Typ (pF)
:2530
- Package Type
:TO-3P-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
7408 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23-6 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特价FQA11N90C-F109即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
1820 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-3P |
9047 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
9000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 |