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FQA10N80C_F109数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQA10N80C_F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•10A, 800V, RDS(on)= 1.1Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5A栅极电荷低(典型值:44nC)
•低 Crss(典型值15pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
:FQA10N80C_F109
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: N-Channel QFET® MOSFET 800V
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:
- V(BR)DSS Min (V)
:800
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:10
- PD Max (W)
:240
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:1100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:45
- Ciss Typ (pF)
:2150
- Package Type
:TO-3P-3LD / EIAJ SC-65
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3PN3L |
12880 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
Fairchi |
24+ |
TO-3PN |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-3P |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-3PN-3 |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
询价 |