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FQA10N80C-F109中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，10 A，1.1 Ω，TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA10N80C-F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•10A, 800V, RDS(on)= 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5A栅极电荷低（典型值：44nC)
•低 Crss（典型值15pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
：FQA10N80C-F109
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：10
- PD Max (W)
：240
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：45
- Ciss Typ (pF)
：2150
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-23 |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
390 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-247TO-3PTO-3PF |
8866 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
8110 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
