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HM20N60A	文件：532.49 Kbytes Page：10 Pages	the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs 文件：532.49 Kbytes 页数：10 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM20N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
MGP20N60U	文件：120.01 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. It also provides fast switching charac teristics and results in efficie 文件：120.01 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP20N60U	文件：120.68 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. It also provides low on–voltage which results in efficient operation at 文件：120.68 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGW20N60D	文件：246.08 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically suited for applications requiring a guara 文件：246.08 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

技术参数

封装（Package）：
TO-3P
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
600.00V
ID(Max)ID(A)：
20.00A
IDM：
80.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
30.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
0.36mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
FQP20N60/FQN20N60/UTC20N60/STP20N60

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更多HM20N60A供应商更新时间2026-4-9 14:02:00

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