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FQA9N90C	文件：680.52 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：680.52 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C	文件：342.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed swit 文件：342.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA9N90C	文件：2.27004 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs 文件：2.27004 Mbytes 页数：7 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FQA9N90C	文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：798.35 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：804.61 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C-F109	文件：1.96537 Mbytes Page：9 Pages	丝印：FQA9N90C；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high aval 文件：1.96537 Mbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA9N90C_06	文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：798.35 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C_07	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：804.61 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C_F109	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：804.61 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C_F109	文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：798.35 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 900V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
9
PD Max (W)：
280
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1400
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
45
Ciss Typ (pF)：
2100
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQA9N90C	0N	24+	TO-3P	1150	原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQA9N90C	FAIRCHILD/仙童	25+	TO-3P	45000	FAIRCHILD/仙童全新现货FQA9N90C即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	FQA9N90C	FSC	2021+	TO-3PN	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价

更多FQA9N90C供应商更新时间2026-1-18 22:59:00

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