IKP20N60T分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IKP20N60T |
参数属性 | IKP20N60T 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 40A 166W TO220-3 |
功能描述 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
文件大小 |
435.11 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-30 15:24:00 |
IKP20N60T规格书详情
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
• Maximum Junction Temperature 175 °C
• Short circuit withstand time – 5µs
• Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
• Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
• Positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Low Gate Charge
• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
IKP20N60T属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKP20N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IKP20N60TXKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.05V @ 15V,20A
- 开关能量:
770µJ
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/199ns
- 测试条件:
400V,20A,12 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
PG-TO220-3-1
- 描述:
IGBT 600V 40A 166W TO220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
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